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  • 权利要求
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  • 法律状态
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    • 专利摘要:
    Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterchips (5; 5') mit einer Oberfläche, die einen Membranbereich (55; 55') und einen Peripheriebereich aufweist, wobei der Peripheriebereich einen Montagebereich (MB) aufweist; Vorsehen eines Substrats (1; 10; 10'), welches eine Oberfläche mit einer Aussparung (11; 11') aufweist; Montieren des Montagebereichs (MB) des Halbleiterchips (5) in Flip-Chip-Technik auf die Oberfläche des Substrats (10; 10'), derart, dass eine Kante (K) der Aussparung (11; 11') zwischen dem Montagebereich (MB) und dem Membranbereich (55) liegt; und Unterfüllen des Montagebereichs (MB) mit einer Unterfüllung (28), wobei die Kante (K) der Aussparung (11; 11') als Abrissbereich für die Unterfüllung (28) dient, so dass keine Unterfüllung (28) in den Membranbereich (55) gelangt. Die Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende Halbleiterchipanordnung.
    公开号:DE102004011203A1
    申请号:DE102004011203
    申请日:2004-03-04
    公开日:2005-09-29
    发明作者:Hubert Benzel；Regina Grote；Kurt Weiblen
    申请人:Robert Bosch GmbH；
    IPC主号:G01L9-00
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchipsund eine entsprechende Halbleiterchipanordnung.
    [0002] Obwohlauf beliebige Halbleiterchipanordnungen anwendbar, werden die vorliegendeErfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in bezug aufeine mikromechanische Halbleiterchipanordnung mit einem Drucksensorerläutert.
    [0003] 7 zeigt ein erstes Beispielfür einVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
    [0004] In 7 bezeichnet Bezugszeichen 100 einenTO8-Sockel, der beispielsweise aus Kovar hergestellt ist. Bezugszeichen 5 istein mikromechanischer Silizium-Drucksensorchip mit piezoresistivenWandlerelementen 51, die auf einer Membran 55 untergebrachtsind. Zur Herstellung der Membran 55 wird eine Kaverne 58 aufder Rückseitedes betreffenden Silizium-Drucksensorchips 5 eingebracht,beispielsweise durch anisotropes Ätzen, z.B. mit KOH oder TMAH.Alternativ kann die Membran 55 auch durch Trench-Ätzen hergestellt werden.
    [0005] DerSensorchip 5 kann aus einer reinen Widerstandsbrücke mitpiezoresistiven Widerständenbestehen oder kombiniert sein mit einer Auswerteschaltung, die zusammenmit den Piezowiderständenin einen Halbleiterprozess integriert wird. Ein Glassockel 140 ausnatriumhaltigen Glas, der auf die Rückseite des Chips 5 anodischgebondet ist, dient zur Reduzierung von mechanischer Spannung, diedurch Lot oder Kleber 70 hervorgerufen wird, mittels demder Glassockel 140 auf dem TO8-Sockel 100 aufgebrachtist. Bezugszeichen 53 in 7 bezeichnetein Bondpad einer nicht näherdargestellten integrierten Schaltung 52, das über einen Bonddraht 60 miteiner elektrischen Anschlusseinrichtung 130 verbunden ist,welche wiederum durch eine Isolationsschicht 131 von demTO8-Sockel 100 isoliert ist. Der Glassockel 140 weisteine Durchgangsöffnung 141 auf,welche die Kaverne 58 übereine Durchgangsöffnung 101 desTO8-Sockels 100 und eine daran angesetzte Anschlusseinrichtung 120 mitdem extern herrschenden Druck P verbindet. Der in 7 gezeigte Aufbau wird üblicherweisenoch mit einer nicht gezeigten Metallkappe hermetisch dicht verschweisst.
    [0006] Allerdingsweist ein derartiger Aufbau den Nachteil auf, dass er umständlich istund häufigProbleme beim hermetischen Einschliessen des Sensorchips 5 auftreten,beispielsweise wegen undichter Schweissnähte, o.ä. Da das TO8-Gehäuse unddas Silizium unterschiedliche Temperaturausdehnungskoeffizientenhaben, entstehen mechanische Spannungen bei Temperaturwechseln,die von Piezowiderständenals Störsignalgemessen werden.
    [0007] 8 zeigt ein zweites Beispielfür einVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
    [0008] Dieseszweite Beispiel sieht vor, den Sensorchip 5 über einenGlassockel 140',der keine Durchgangsöffnungaufweist, auf ein Substrat 1 aus einer Keramik oder Kunststoffzu kleben und zum Schutz gegen Umwelteinflüsse mit einem Gel 2 zupassivieren. Zusätzlichvorgesehen überder Chipanordnung auf dem Substrat 1 ist eine Schutzkappe 13 miteiner Durchgangsöffnung 15 für den anzulegendenDruck P. Auch weist der Glassockel 140' bei diesem Beispiel keine Durchgangsöffnung auf,da der Druck P von der anderen Seite angelegt wird.
    [0009] BeiVerwendung eines solchen Gels 2 wird der Maximaldruck nachteiligerweisedurch das Gel 2 bestimmt, da Gas in das Gel 2 eindiffundiertund bei plötzlicherDruckerniedrigung Gasblasen im Gel 2 entstehen, die dasGel 2 zerstören.
    [0010] DaserfindungsgemässeVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips mit den Merkmalen desAnspruchs 1 und die entsprechende Halbleiterchipanordnung gemäss Anspruch10 weisen gegenüberden bekannten Lösungsansätzen denVorteil auf, dass ein einfacher kostengünstiger und spannungsunempfindlicher Aufbauermöglichtwird.
    [0011] Dieder vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht in einer überhängendenAufbauweise eines Sensorchips auf einem Substrat mit einer Aussparungmittels einer Flip-Chip-Montagetechnik, wobei eine mechanische Entkopplungdes Sensorchips durch das seitliche Überhängen vorgesehen ist.
    [0012] VorhandeneHerstellungsprozesse könnengrößtenteilsbeibehalten werden, wie z.B. der Halbleiterprozess für die Sensorkomponentenund/oder Auswerteschaltungskomponenten bzw. für Sensorgehäuseteile.
    [0013] Einelektrisches Vormessen im Wafer-Verbund ist möglich, ebenso wie ein Bandendeabgleichnach der Montage auf dem Träger.Das erfindungsgemäße Verfahrenermöglichtebenfalls einen platzsparenden Aufbau von Sensorchip und Auswerteschaltungvor.
    [0014] Inden Unteransprüchenfinden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen desjeweiligen Gegenstandes der Erfindung.
    [0015] Gemäss einerbevorzugten Weiterbildung ist im Montagebereich eine Mehrzahl vonBondpads vorgesehen ist, welche übereine Lot- oder Klebeverbindung auf der Oberfläche des Substrats montiertwerden.
    [0016] Gemäss einerweiteren bevorzugten Weiterbildung erstreckt sich die Aussparungbis unter den Membranbereich. Dies hat den Vorteil, das sich keineFremdkörperunter dem Membranbereich verkeilen können.
    [0017] Gemäss einerweiteren bevorzugten Weiterbildung ist der Sensorchip auf der rückseitigenOberfläche aufeinen Glassockel gebondet. Dies erhöht die Verbiegesteifigkeit.Ausserdem kann man zwischen Glassockel und Sensorchip ein Vakuumeinschliessen.
    [0018] Gemäss einerweiteren bevorzugten Weiterbildung sind im Peripheriebereich einoder mehrere Stützsockelvorgesehen, die aufliegend auf der Oberfläche des Gehäuses vorgesehen werden. DieseStützsockel verhindernein Verkippen bei der Flip-Chip-Montage.
    [0019] Gemäss einerweiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Substrat Teil eines vorgefertigtenGehäuses.
    [0020] Gemäss einerweiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Gehäuse ein Premoldgehäuse ausKunststoff, in das ein Leadframe eingeformt ist. Derartige Gehäuse sindbesonders kostengünstig.
    [0021] Gemäss einerweiteren bevorzugten Weiterbildung weist das Gehäuse einen ringförmigen Seitenwandbereichauf, welcher den Sensorchip umgibt und welcher oberhalb der Sensorchipsdurch einen Deckel mit einer Durchgangsöffnung verschlossen ist.
    [0022] Gemäss einerweiteren bevorzugten Weiterbildung wird in das Gehäuse einweiterer Halbleiterchip vollständigumformt montiert wird.
    [0023] Ausführungsbeispieleder Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgendenBeschreibung nähererläutert.
    [0024] Esillustrieren:
    [0025] 1a,b eine erste Ausführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in seitlicher bzw. ebener Querschnittsansicht;
    [0026] 2 einezweite Ausführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
    [0027] 3 einedritte Ausführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
    [0028] 4 einevierte Ausführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
    [0029] 5 einefünfteAusführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
    [0030] 6 einesechste Ausführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
    [0031] 7 einerstes Beispiel fürein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht; und
    [0032] 8 einzweites Beispiel fürein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
    [0033] Inden Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleicheKomponenten.
    [0034] 1a,b zeigen eine erste Ausführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in seitlicher bzw. ebener Querschnittsansicht.
    [0035] Beider in 1a, b gezeigten ersten Ausführungsformist der Sensorchip 5' einoberflächenmikromechanischerSensorchip, welcher beispielsweise gemäß dem in der DE 100 32 579 A1 beschriebenenVerfahren hergestellt wurde und eine integrierte Kaverne 58' über einemMembranbereich 55' aufweist.
    [0036] DasSubstrat 1 weist eine Aussparung 11 auf, nebender der Sensorchip 5' inFlip-Chip-Technik überhängend montiertist. Zur Montage werden Bondpads 53 des Sensorchips 5' im MontagebereichMB mittels einer Lot- oder Klebeverbindung , z.B. Lotkügelchen 26,auf (nicht gezeigte) Bondpads des Substrats 1 gelötet.
    [0037] DerMontagebereich MB weist zusätzlicheine Unterfüllung 28 auseinem isolierenden Kunststoffmaterial auf, wobei die Kante K derAussparung 11, die zwischen Monatgebereich MB und Membranbereich 55' liegt, alsAbrisskante fürdie Unterfüllung 28 beimMontageprozess dient. Die Abrisskante K sorgt dafür, dass dieUnterfüllung 28 nichtin bzw. unter den Membranbereich 55' gelangen kann. Der Membranbereich 55' des Sensorchips 5' ragt dadurchseitlich neben dem streifenförmigenMontagebereich MB hinaus, so dass das Druckmedium ungestört an denMembranbereich 55' gelangenkann.
    [0038] DerSensorchip 5' istim Membranbereich 55' aufder Oberflächedurch eine (nicht gezeigte) Sicht, z.B. eine Nitridschicht, passiviert,die als sicherer Medienschutz wirkt. Im Montagebereich MB ist derSensorchip 5' durchdie Unterfüllung 28 vorKorrosion geschützt.
    [0039] Einoptioneller Stützsockel 36 andem dem Montagebereich MB gegenüberliegendenPeripheriebereich des Membranbereichs 55' vorgesehen, der ein Abkippen desSensorchips 5' beider Flip-Chip-Montage verhindernsoll. Dieser Stützsockel 36 kannentweder auf der Oberseite des Chips 5' oder auf der gegenüberliegendenOberflächedes Substrats 1 vorgesehen sein und weist keine Lotfläche auf,so dass in diesem Bereich der Sensorchip 5 nur auf derOberseite vom Substrat 1 aufliegt, nicht aber fest damitverbunden ist, so dass Spannungseinflüsse in diesem Bereich vermiedenwerden.
    [0040] In 1b istder streifenförmigeMontagebereich MB des Sensorchips 5 mit der Unterfüllung 28 und denLotkügelchen 26 deutlicherkennbar. Der Montagebereich MB ist wesentlich kleiner als dieGesamtfläche desSensorchips 5, woraus ein sprungbrettartiger Aufbau resultiert.Auch erstreckt sich die Aussparung 11 über die Breitenausdehnung desSensorchips 5' hinaus.Bei dieser ersten Ausführungsformist die Aussparung 11' imSubstrat 1 als schmaler Graben ausgebildet ist, der sichnicht bis zum bzw. unter den Membranbereich 55' des Sensorchips 5' erstreckt.Dies muss jedoch nicht der Fall sein, vielmehr kann sich die Aussparungprinzipiell auch bis unter den Membranbereich erstrecken, wie später gezeigtwird.
    [0041] Beidieser Ausführungsformder Erfindung kann der Glassockel gemäss 7 oder 8 vollständig weggelassenwerden, da das seitliche Hinausragen des oberflächenmikromechanischen Sensorchips 5' neben dem streifenförmigen MontagebereichMB bereits den Abbau der Spannung ermöglicht, die durch unterschiedlicheTemperaturausdehnungskoeffizienten von Silizium und Glas an derVerbindung mit den Lotkügelchen 26 undder Unterfüllung 28 entsteht.
    [0042] DerAufbau gemäss 1a,b kann abschliessend in einem (in dieser Figur nicht gezeigten Gehäuse) verpacktwerden.
    [0043] 2 zeigteine zweite Ausführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
    [0044] Beider zweiten Ausführungsformist das Substrat Teil eines Premoldgehäuses 10 aus Kunststoff,aus dem seitlich ein darin eingeformter Leadframe 8 herausragt.Das Premoldgehäuse 10 weisteine Aussparung 11 auf, neben der der Sensorchip 5 inFlip-Chip-Technik überhängend montiertist. Zur Montage werden Bondpads 53 des Sensorchips 5 mittelseiner Lot- oder Klebeverbindung , z.B. Lotkügelchen 26, auf (nichtgezeigte) Bondpads des Premoldgehäuses 10 gelötet.
    [0045] Derminimale Abstand des Leadframes 8 im Montagebereich MBdes Sensorchips 5 ist meist größer als der minimale Abstandder Bondpads 53 auf dem Sensorchip 5. Da abernur wenig Bondpads 53 auf dem Sensorchip 5 nötig sind,z.B. vier Stückfür denAnschluß einerWheatston'schenMessbrücke,könnendiese so weit wie nötigvoneinander entfernt plaziert werden.
    [0046] DerMontagebereich MB weist die Unterfüllung 28 aus einemisolierenden Kunststoffmaterial auf, wobei die Kante K der Aussparung 11,die zwischen Montagebereich MB und Membranbereich 55 liegt,als Abrisskante fürdie Unterfüllung 28 beimMontageprozess dient. Die Abrisskante K hat die bereits im Zusammenhangmit der ersten AusführungsformerläuterteFunktion.
    [0047] Auchhier ist der Sensorchip 5 ist im Membranbereich 55 aufder Oberflächedurch eine (nicht gezeigte) Nitridschicht passiviert, die als sichererMedienschutz wirkt. Im Montagebereich MB ist der Sensorchip 5 durchdie Unterfüllung 28 vorKorrosion geschützt.
    [0048] Schliesslichweist das Premoldgehäuse 10 einenringförmigenSeitenwandbereich 10a auf, an dessen Oberseite ein Deckel 20 miteiner Durchgangsöffnung 15a für den anzulegendenDruck 10 vorgesehen ist. Aufgund der Tatsache, dass derSensorchip 5 durch die Flip-Chip-Montage auf der dem MontagebereichgegenüberliegendenSeite des Peripheriebereichs von der Oberseite des Premoldgehäuses 10 beabstandetist, wird eine problemlose Übertragungdes angelegten Drucks P auf den Membranbereich 55 gewährleistet.
    [0049] Beimvorliegenden Beispiel ist der Sensorchip 5 rückseitigauf einem Glassockel 140'' gebondet, der dünner seinkann als bei den eingangs genannten Beispielen gemäß 7 und 8,da das seitliche Hinausragen des Sensorchips 5 neben demstreifenförmigenMontagebereich MB bereits den Abbau der Spannung ermöglicht,die durch unterschiedliche Temperaturausdehnungskoeffizienten vonSilizium und Glas an der Verbindung mit den Lotkügelchen 26 und derUnterfüllung 28 entsteht.
    [0050] 3 zeigteine dritte Ausführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
    [0051] Auchbei der in 3 gezeigten dritten Ausführungsformist der Sensorchip 5' einoberflächenmikromechanischerSensorchip, welcher beispielsweise gemäß dem in der DE 100 32 579 A1 beschriebenenVerfahren hergestellt wurde und eine integrierte Kaverne 58' über einemMembranbereich 55' aufweist.
    [0052] Auchbei dieser dritten Ausführungsformwurde der Glassockel vollständigweggelassen, was einen besonders platzsparenden Aufbau und einenentsprechend niedrigen Seitenwandbereich 10a ermöglicht.Die Montage mittels der Lotkügelchen 26 undder Unterfüllung 28 istdieselbe wie bei den vorhergehenden Ausführungsformen.
    [0053] ImUnterschied zu den vorhergehenden Ausführungsformen weist der Deckel 20' einen Druckanschlussstutzen 21 auf,in dessen Durchgangsöffnung 15b einoptionales Filter 22 eingebaut sein kann, das verhindert,dass Partikel oder flüssigeMedien ins Innere der Sensorverpackung gelangen können. Sokann beispielsweise verhindert werden, dass Wasser eindringt, welchesbeim Gefrieren den Sensorchip 5' absprengen und damit zerstören könnte.
    [0054] 4 zeigteine vierte Ausführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
    [0055] Beider vierten Ausführungsformgemäß 4 istein Gehäuse 10' vorgesehen,das eine Kombination aus Mold- und Premoldgehäuse ist. Im linken Teil istein Auswertechip 6 überLotkügelchen 26 in Flip-Chip-Technikauf dem Leadframe 8 montiert und vollständig vergossen. Im rechtenTeil befindet sich der Premoldbereich, in dem der Sensorchip 5' anschliessendderart montiert wird, wie bereits im Zusammenhang mit 3 ausführlich erläutert wurde.Elektrische Verbindungen zwischen den Chips 5', 6 verlaufen über den Leadframe 8,sind aber in der Figur nicht gezeigt.
    [0056] 5 zeigteine fünfteAusführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
    [0057] Beider fünftenAusführungsformist im Unterschied zur vierten Ausführungsform der Auswertechip 6 über Bonddrähte 60 mitdem Leadframe 8 verbunden. Dies hat sich insbesondere für den Fallals vorteilhaft erwiesen, in dem viele elektrische Anschlüsse für den Auswertechip 6 benötigt werden.So kann nämlichder Abstand der Bondpads 53 auf dem Auswertechip 6 engund der entsprechenden Bondpads auf dem Leadframe 8 breitergewähltwerden.
    [0058] Auchbei dieser Ausführungsformist die Aussparung 11' imPremoldgehäuse 10' als schmalerGraben ausgebildet ist, der sich nicht bis zum bzw. unter den Membranbereich 55' des Sensorchips 5 erstreckt.Der Abstand des Membranbereichs 55' zur Oberfläche des Premoldgehäuses 10' kann somitgering gehalten werde, und daher ist bei einer derartigen Ausgestaltungdarauf zu achten, dass keine Partikel in den Zwischenraum zwischenMembranbereich 55' undPremoldgehäuse 10' gelangen können, diesich dort verkeilen und dadurch die Kennlinie des Sensorchips beeinflussenkönnten.
    [0059] 6 zeigteine sechste Ausführungsformdes erfindungsgemässenVerfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechendenHalbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
    [0060] Beider in 6 gezeigten Ausführungsform ist die Anordnungauf dem Leadframe 8 von Sensorchip 5' und Auswertechip 6 gezeigt.Im Unterschied zu den vorhergehenden Ausführungsformen sind bei dieser sechstenAusführungsformzwei Durchgangsöffnungen 15a für den Druckanschlussim Deckel 20 vorgesehen.
    [0061] Obwohldie vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispieleerläutert wordenist, ist sie nicht darauf beschränkt,sondern auch in anderer Weise ausführbar.
    [0062] Imobigen Beispiel wurden nur piezoresistive Sensorstrukturen betrachtet.Die Erfindung ist jedoch auch fürkapazitive oder sonstige Sensorstrukturen geeignet, bei denen Membranenverwendet werden.
    BEZUGSZEICHENLISTE:

    权利要求:
    Claims (18)
    [1] Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips mitden Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterchips (5; 5') mit einerOberfläche,die einen Membranbereich (55; 55') und einen Peripheriebereich aufweist,wobei der Peripheriebereich einen Montagebereich (MB) aufweist; Vorseheneines Substrats (1; 10; 10'), welches eine Oberfläche miteiner Aussparung (11; 11') aufweist; Montieren desMontagebereichs (MB) des Halbleiterchips (5) in Flip-Chip-Technikauf die Oberflächedes Substrats (1; 10; 10') derart, dass eine Kante (K) derAussparung (11; 11')zwischen dem Montagebereich (MB) und dem Membranbereich (55)liegt; und Unterfüllendes Montagebereichs (MB) mit einer Unterfüllung (28), wobeidie Kante (K) der Aussparung (11; 11') als Abrissbereichfür dieUnterfüllung(28) dient, so dass keine Unterfüllung (28) in denMembranbereich (55) gelangt.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass im Montagebereich (MB) eine Mehrzahl von Bondpads (53)vorgesehen ist, welche übereine Lot- oder Klebeverbindung auf der Oberfläche des Substrats (1; 10; 10') montiert werden.
    [3] Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,dass die Aussparung (11) sich bis unter den Membranbereich(55) erstreckt.
    [4] Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,dass der Sensorchip (5) auf der rückseitigen Oberfläche aufeinen Glassockel (140'') gebondet ist.
    [5] Verfahren nach mindestens einem der vorhergehendenAnsprüche,dadurch gekennzeichnet, dass im Peripheriebereich ein oder mehrereStützsockel(36) vorgesehen sind, die aufliegend auf der Oberfläche des Substrats(1; 10; 10')vorgesehen werden.
    [6] Verfahren nach mindestens einem der vorhergehendenAnsprüche,dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1; 10; 10') ein Teil einesvorgefertigten Gehäuses(10; 10')ist.
    [7] Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,dass das Gehäuse(10; 10')ein Premoldgehäuse ausKunststoff ist, in das ein Leadframe (8) eingeformt ist.
    [8] Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet,dass das Gehäuse(10; 10')einen ringförmigenSeitenwandbereich (10a) aufweist, welcher den Sensorchip(5; 5')umgibt und welcher oberhalb der Sensorchips (5; 5') durch einenDeckel (20; 20')mit einer Durchgangsöffnung(15a; 15b) verschlossen ist.
    [9] Verfahren nach Anspruch 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet,dass in das Gehäuse(10') einweiterer Halbleiterchip (6) vollständig umformt montiert wird.
    [10] Halbleiterchipanordnung mit: einem Halbleiterchip(5; 5')mit einer Oberfläche,die einen Membranbereich (55; 55') und einen Peripheriebereich aufweist,wobei der Peripheriebereich einen Montagebereich (MB) aufweist; einemSubstrat (1; 10; 10'), welches eine Oberfläche miteiner Aussparung (11; 11') aufweist; wobei der Montagebereich(MB) des Halbleiterchips (5) in Flip-Chip-Technik auf dieOberflächedes Substrats (1; 10; 10') derart montiert ist, dass eineKante (K) der Aussparung (11; 11') zwischen dem Montagebereich (MB)und dem Membranbereich (55) liegt; und der Montagebereichs(MB) mit einer Unterfüllung(28) unterfülltist, wobei die Kante (K) der Aussparung (11; 11') als Abrissbereichfür dieUnterfüllung(28) dient, so dass keine Unterfüllung (28) im Membranbereich(55) vorliegt.
    [11] Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 10, dadurchgekennzeichnet, dass im Montagebereich (MB) eine Mehrzahl von Bondpads(53) vorgesehen ist, welche über eine Lot- oder Klebeverbindungauf der Oberflächedes Substrats (1; 10; 10') montiert sind.
    [12] Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 10 oder 11,dadurch gekennzeichnet, dass die Aussparung (11) sich bisunter den Membranbereich (55) erstreckt.
    [13] Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 10, 11 oder12, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensorchip (5) aufder rückseitigenOberflächeauf einen Glassockel (140'') gebondet ist.
    [14] Halbleiterchipanordnung nach mindestens einem dervorhergehenden Ansprüche10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass im Peripheriebereich einoder mehrere Stützsockel(36) aufliegend auf der Oberfläche des Gehäuses (10; 10') vorgesehensind.
    [15] Halbleiterchipanordnung nach mindestens einem dervorhergehenden Ansprüche10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1; 10; 10') ein Teil einesvorgefertigten Gehäuses(10; 10')ist.
    [16] Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 15, dadurchgekennzeichnet, dass das Gehäuse(10; 10')ein Premoldgehäuseaus Kunststoff ist, in das ein Leadframe (8) eingeformtist.
    [17] Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 15 oder 16,dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (10; 10') einen ringförmigen Seitenwandbereich(10a) aufweist, welcher den Sensorchip (5; 5') umgibt undwelcher oberhalb der Sensorchips (5; 5') durch einenDeckel (20; 20')mit einer Durchgangsöffnung(15a; 15b) verschlossen ist.
    [18] Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 15, 16 oder17, dadurch gekennzeichnet, dass in das Gehäuse (10') ein weiterer Halbleiterchip (6)vollständigumformt montiert ist.
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